富提亞科技在台積電130BCD+製程上完成eFlash IP可靠度驗證,並達成200°C高溫下資料保存10年的可靠度標準
東京2023年3月3日 /美通社/ -- 富提亞科技有限公司(總部位於日本東京,以下簡稱「富提亞科技」)是eFlash IP(嵌入式快閃記憶體矽智財)的開發商,已完成 eFlash IP(產品名稱為G1)在台積電130BCD+製程上的可靠度驗證。經過1萬次寫入和擦除操作後,G1通過了125°C資料保存10年的可靠度標準。在200°C的高溫下進行同樣的測試,G1仍可以保存資料10年,是目......