Samsung宣佈旗艦手機將會採用512GB eUFS 3.1
Samsung已經開始批量生產世界上第一個512GB eUFS (嵌入式通用閃存) 3.1,並表示會把它配備在旗艦智能手機中。 512GB eUFS 3.1的寫入速度是先前的移動儲存器的三倍,它的寫入速度超過1200MB /s,突破了1GB /s的性能。它提供100000個IOPS的讀取和每秒70000 IOPS的寫入。 ...
Samsung已經開始批量生產世界上第一個512GB eUFS (嵌入式通用閃存) 3.1,並表示會把它配備在旗艦智能手機中。 512GB eUFS 3.1的寫入速度是先前的移動儲存器的三倍,它的寫入速度超過1200MB /s,突破了1GB /s的性能。它提供100000個IOPS的讀取和每秒70000 IOPS的寫入。 ...