安森美推出垂直氮化鎵（GaN）半導體 為人工智慧與電氣化領域帶來突破性技術
安森美基於全新GaN-on-GaN技術的垂直GaN架構，為功率密度、能效和穩健性樹立新標竿 核心摘要 台北訊 - 2025年10月 31日--隨著全球能源需求因 AI 數據中心、電動汽車以及其他高能耗應用激增，安森美推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體，為相關應用的功率密度、能效和穩健性樹立新標竿。 這些突破性的新......
安森美基於全新GaN-on-GaN技術的垂直GaN架構，為功率密度、能效和穩健性樹立新標竿 核心摘要 台北訊 - 2025年10月 31日--隨著全球能源需求因 AI 數據中心、電動汽車以及其他高能耗應用激增，安森美推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體，為相關應用的功率密度、能效和穩健性樹立新標竿。 這些突破性的新......
