6吋晶體生長關鍵突破！ 中山大學助攻MIT產業升級 | 今傳媒 JNEWS
【今傳媒/記者李祖東報導】第三代半導體材料「碳化矽」（SiC）晶體已被視為重要戰略物資，是發展電動車、6G通訊、國防、航太、綠能的關鍵要素。國立中山大學晶體研究中心創全國學研單位之先，成功生長6吋導電型（n-type）4H碳化矽單晶，在長晶爐設備、坩堝（存放材料容器）、熱場設計、長晶技術、品質檢驗等環節100%MIT，奠定晶體生長速度快、穩定性高、成本低等優勢，將透過技轉助......
