三星新快閃記憶體技術提昇手機儲存容量

三星宣布將以旗下第三代V-NAND技術打造容量更大、體積更小的256-gigabit (32GB)3D快閃記憶體模組，藉此讓手機儲存元件、PC用SSD容量可大幅提昇。同時，藉由新技術投入將可提昇約40%產能，並且將能以此提供價格更具實惠的快閃記憶體模組，預計最快在今年下半年間至明年初即可應用在實際市售產品。根據三星公布消息，確定將在今年下半年內投入第三代V-NAND技術，......

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