Transphorm第三代GaN功率轉換平台增進抗干擾能力並降低切換雜訊

加利福尼亞州戈利塔--(美國商業資訊)--Transphorm Inc. -業界最高可靠性及率先符合JEDEC和AEC-Q101標準的氮化鎵（GaN）半導體設計和製造的領導者 - 今天宣布推出其第三代(Gen III）650伏（V）GaN FETs。採用Gen III技術的功率晶體，可降低電磁干擾（EMI），提高閘極雜訊抑制能力，在於電路應用中可提供更大的設計餘量. 此屢獲殊榮的......

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