安森美半導體推出新的900 V和1200 V SiC MOSFET用於高要求的應用
新的SiC MOSFET元件實現更好的性能、更高的能效和能在嚴苛條件下工作 【2020年3月11日】—推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),推出另兩個碳化矽(SiC) MOSFET系列,擴展了其寬能隙(WBG)元件系列。 這些新元件適用於各種高要求的高增長......
新的SiC MOSFET元件實現更好的性能、更高的能效和能在嚴苛條件下工作 【2020年3月11日】—推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),推出另兩個碳化矽(SiC) MOSFET系列,擴展了其寬能隙(WBG)元件系列。 這些新元件適用於各種高要求的高增長......