Transphorm 氮化鎵技術率先達成短路穩健里程碑，造福電動驅動應用 - 美國商業資訊

加州戈利塔--(美國商業資訊)--全球新一代電力系統中的氮化鎵 ( GaN) 技術領導者 Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布透過一項專利技術，成功在氮化鎵功率電晶體達成長達 5 微秒的短路耐受時間 (SCWT)。這項極具突破性成就為全體業界創下重要的里程碑，也證明 Transphorm 的氮化鎵能夠滿足由矽絕緣閘極雙極性電晶體 (IGBT) 或碳......

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