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東京--(美國商業資訊)--記憶體解決方案的全球領導者東芝記憶體公司今日宣佈,公司已開發出全球首款[1]採用矽穿孔(TSV)[3]技術的BiCS FLASH™三維(3D)快閃記憶體[2],該產品採用每單元三位元(三階儲存單元,TLC)技術。用於開發目的的原型機已於6月開始出貨,產品樣品訂於2017年下半年發表。這一開創性器件的原型機將於8月7-10日在美國加州聖克拉拉舉行的2017年快閃......