Transphorm發佈業界首款1200 V GaN-on-Sapphire裝置模擬模型 - 美國商業資訊
加利福尼亞州戈利塔--(美國商業資訊)--Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是提供高可靠性、高效能氮化鎵 (GaN) 電源轉換產品的全球領軍企業。該公司今日宣布推出其1200 V FET模擬模型和初步資料表。TP120H070WS FET是目前唯一一款1200 V GaN-on-Sapphire功率半導體,開創了同類產品的先河。這一發佈表明Transphor......