Galaxy S9將可能率先採用速度更快的UFS 3.0儲存元件
固態技術協會 (JEDEC)稍早公佈UFS 3.0版本標準JESD220D與JESD223D,另外也公佈UFS記憶卡1.1版本標準JESD220-2A,其中UFS 3.0將採用HS-G4設計規範,可讓單通道資料傳輸頻寬可達11.6Gbps,亦即為UFS 2.1採用HS-G3設計規範的傳輸頻寬2倍左右。而三星稍早已經透露將在今年第一季內推出首款......
固態技術協會 (JEDEC)稍早公佈UFS 3.0版本標準JESD220D與JESD223D,另外也公佈UFS記憶卡1.1版本標準JESD220-2A,其中UFS 3.0將採用HS-G4設計規範,可讓單通道資料傳輸頻寬可達11.6Gbps,亦即為UFS 2.1採用HS-G3設計規範的傳輸頻寬2倍左右。而三星稍早已經透露將在今年第一季內推出首款......