Intel展示晶片背部供電與直接背部接觸的3D堆疊CMOS電晶體技術進展,持續推動摩爾定律成長進入製程技術的埃米世代

首圖

在今年度的IEEE國際電子元件會議 (IEDM 2023)中,Intel展示其結合晶片背部供電與直接背部接觸的3D堆疊CMOS (互補金屬氧化物半導體)電晶體技術進展,強調在晶片背部供電技術研究突破,率先提出可在相同300mm (12吋)直徑規格晶圓整合矽電晶體與氮化鎵 (GaN)電晶體的大規模3D單晶設計,而非像往常必須透過封裝技術實現。 Inte......