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東京--(美國商業資訊)--東芝(TOKYO:6502)已成功研發出全隔離N溝道橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術,解決了負偏壓擊穿電壓(BVnb)和HBM穩固性(衡量抗靜電放電(ESD)性的指標)之間的權衡問題。該技術成果的詳情於2017年6月1日在功率半導體元件與積體電路國際研討會(ISPSD 2017)上公諸於眾,這是一場在日本舉行的IEEE功率半導體國際會議。   ......