東芝新推出的1200V和1700V碳化矽MOSFET模組幫助實現尺寸更小、更高效率的工業設備 - 美國商業資訊
日本川崎--(美國商業資訊)--東芝電子元件及儲存裝置株式會社(「東芝」)已推出兩款碳化矽(SiC) MOSFET雙模組:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3;額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。這是東芝首款具有此類電壓等級的產品,與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V元件的......