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稍早由Toshiba宣布,與Sandisk技術合作打造以BiCS設計的MLC 3D NAND Flash將實現48層堆疊層數,除超越先前的16層堆疊設計,也一舉超越三星現有3D V-NAND Flash的32層堆疊層數。而由美光 (Micron)與Intel合作同樣具32層堆疊層數的3D NAND Flash,則預期使最大容量進一步擴展,預期將可使M.2規格SSD容量達3.5TB,同時讓2......