藉助三星7nm製程，ARM架構處理器運作時脈將可突破3GHz
三星稍早宣布，將與ARM進一步合作7nm FinFET LLP，以及5nm FinFET LPE製程技術，其中7nm FinFET LLP製程技術將會在今年下半年試產，預期將在2019年進入量產階段，而ARM方面將與三星合作Artisan POP技術授權，同時也將包含ARM旗下DynamIQ技術授權。 而藉由製程技術縮減，三星預期將可讓ARM架構處理器運作時脈可突破3GHz，......
三星稍早宣布，將與ARM進一步合作7nm FinFET LLP，以及5nm FinFET LPE製程技術，其中7nm FinFET LLP製程技術將會在今年下半年試產，預期將在2019年進入量產階段，而ARM方面將與三星合作Artisan POP技術授權，同時也將包含ARM旗下DynamIQ技術授權。 而藉由製程技術縮減，三星預期將可讓ARM架構處理器運作時脈可突破3GHz，......
